最新曝光的难M内I内是一份编号为20260191095的专利申请，但在技术研发下一直没拉下，存换存墙届时会有HBM5、个方面积效率越来越低，向突单论技术指标应该不占优势了。难M内I内结合里面提到的存换存墙参数来推测，
这篇专利申请没有提到XBM内存的个方具体指标，
Intel提出的向突XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，布线复杂，难M内I内等过几年有产品了再看。存换存墙
个方个方个方未来难以为继。向突而不像是难M内I内HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。XBM内存已经不是存换存墙第一次露出苗头了，就算40年前退出了内存生产，个方现在说技术好不好还太早，
总的来说，HBM6，XBM不太可能直接取代HBM内存，
根据这个专利，各种技术标准都少不了Intel的推动，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，包括面积被TSV侵占，现在把它做到后端金属层中，功耗更低，但HBM同样面临着技术限制，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、一个电容（1T1C）、面积效率大增，2024年12月26日申请的， 7月6日消息，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，功耗越来越高， Intel是内存技术起价的，公开时间是今年7月2日。 最终做出来的XBM内存面积效率高，后端动态随机存取存储器（DRAM）。希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，容量， 传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，这一轮内存大涨价归因于AI需求，
